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SAMSUNG SSD 9100 PRO 2T M.2 Gen5 + Dissipateur *MZ-VAP2T0CW

579,90  TTC — soit 483,25  HT

SAMSUNG SSD 9100 PRO 2T M.2 Gen5 + Dissipateur *MZ-VAP2T0CW

Disponibilité : En stock

UGS : FLY-PROD-002084 Catégories : , ,
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SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS 4T M.2 2280
SYNOLOGY SNV3410-400G
SAMSUNG SSD 9100 PRO 1T M.2 Gen5 + Dissipateur *MZ-VAP1T0CW
Kingston Technology 1000G NV3 M.2 2280 NVMe SSD
MSI SSD SPATIUM M461 PCIe 4.0 NVMe M.2 1TB
Lexar NQ790 2 To PCIe 4.0
Corsair MP600 ELITE 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe 3D TLC
SAMSUNG 990 PRO 1T M.2 NVMe PCIe 4.0
MSI SPATIUM M560 PCIe 5.0 NVMe M.2 2TB
SAMSUNG SSD 9100 PRO 8T M.2 Gen5 + Dissipateur *MZ-VAP8T0CW
Corsair MP600 ELITE 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe 3D TLC

Caractéristiques techniques

Hauteur 25 mm
Largeur 80,2 mm
Poids 30 g
Profondeur 8,88 mm
Type d'emballage Boîte
Capacité du Solid State Drive (SSD) 2 To
NVMe Oui
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
Température d'opération 0 – 70 °C
Période de garantie 5 année(s)
composant pour PC/Console de jeux
Facteur de forme SSD M.2
Interface PCI Express 5.0
Lecture aléatoire (4KB) 1850000 IOPS
Support S.M.A.R.T Oui
Support TRIM Oui
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Type de mémoire V-NAND TLC
Vitesse d'écriture 13400 Mo/s
Écriture aléatoire (4KB) 2600000 IOPS
Le chiffrement matériel Oui
Vitesse de lecture 14700 Mo/s
Flux de données d'interface PCI Express x4
Taille du SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Version NVMe 2.0
Tension de fonctionnement 3,3 V
Consommation électrique moyenne (lecture) 8,1 W
Consommation électrique moyenne (écriture) 7,9 W
Choc durant le fonctionnement 1500 G
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) Oui
Operating voltage 3.3 V
Poids 0,08 kg
Hauteur

25 mm

Largeur

80,2 mm

Poids

30 g

Profondeur

8,88 mm

Type d'emballage

Boîte

Capacité du Solid State Drive (SSD)

2 To

NVMe

Oui

Algorithme de sécurité soutenu

256-bit AES

Température d'opération

0 – 70 °C

Période de garantie

5 année(s)

composant pour

PC/Console de jeux

Facteur de forme SSD

M.2

Interface

PCI Express 5.0

Lecture aléatoire (4KB)

1850000 IOPS

Support S.M.A.R.T

Oui

Support TRIM

Oui

Temps moyen entre pannes

1500000 h

Type de mémoire

V-NAND TLC

Vitesse d'écriture

13400 Mo/s

Écriture aléatoire (4KB)

2600000 IOPS

Le chiffrement matériel

Oui

Vitesse de lecture

14700 Mo/s

Flux de données d'interface PCI Express

x4

Taille du SSD M.2

2280 (22 x 80 mm)

Version NVMe

2.0

Tension de fonctionnement

3,3 V

Consommation électrique moyenne (lecture)

8,1 W

Consommation électrique moyenne (écriture)

7,9 W

Choc durant le fonctionnement

1500 G

Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)

Oui

Operating voltage

3.3 V

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