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ADATA LEGEND 700 ALEG-700-256GCS disque SSD 256 Go M.2 PCI Express 3.0 NVMe 3D NAND

74,90  TTC — soit 62,42  HT

ADATA LEGEND 700 ALEG-700-256GCS disque SSD 256 Go M.2 PCI Express 3.0 NVMe 3D NAND

Disponibilité : En stock

UGS : FLY-PROD-004732 Catégories : , ,
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SAMSUNG SSD PM9A3 3.84T *MZ1L23T8HBLA-00A07
Kingston Technology 512G KC3000 M.2 2280 NVMe SSD
KINGSTON SSD KC3000 1T PCIe 4.0 NVMe M.2 *SKC3000S/1024G
Samsung 990 PRO 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS 1T M.2 2280
CRUCIAL E100 1T Gen4 2280 Tray
Lexar NQ790 4 To PCIe 4.0
CRUCIAL E100 2TB PCIe M.2 *CT2000E100SSD8
SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS 4T M.2 2280
KINGSTON FURY Renegade PCIe 4.0 NVMe SSD w/ Heatsink
Samsung 990 PRO 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC

Caractéristiques techniques

Hauteur 3,13 mm
Largeur 22 mm
Poids 9 g
Profondeur 80 mm
Capacité du Solid State Drive (SSD) 256 Go
NVMe Oui
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
Température d'opération 0 – 70 °C
composant pour PC/ordinateur portable
Facteur de forme SSD M.2
Interface PCI Express 3.0
Lecture aléatoire (4KB) 90000 IOPS
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Température hors fonctionnement 40 – 85 °C
Type de mémoire 3D NAND
Vitesse d'écriture 1600 Mo/s
Écriture aléatoire (4KB) 280000 IOPS
Certification CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS
Classe TBW 80
Le chiffrement matériel Oui
Vitesse de lecture 2000 Mo/s
Version NVMe 1.3
Choc hors fonctionnement 1500 G
Vitesse d'écriture séquentielle (CDM) 1000 Mo/s
Vitesse de lecture séquentielle (CDM) 1900 Mo/s
Vitesse d'écriture séquentielle (ATTO) 1000 Mo/s
Vitesse de lecture séquentielle (ATTO) 1800 Mo/s
Vitesse d'écriture séquentielle (AS SSD) 1000 Mo/s
Vitesse de lecture séquentielle (AS SSD) 1700 Mo/s
Poids 0,04 kg
Hauteur

3,13 mm

Largeur

22 mm

Poids

9 g

Profondeur

80 mm

Capacité du Solid State Drive (SSD)

256 Go

NVMe

Oui

Algorithme de sécurité soutenu

256-bit AES

Température d'opération

0 – 70 °C

composant pour

PC/ordinateur portable

Facteur de forme SSD

M.2

Interface

PCI Express 3.0

Lecture aléatoire (4KB)

90000 IOPS

Temps moyen entre pannes

1500000 h

Température hors fonctionnement

40 – 85 °C

Type de mémoire

3D NAND

Vitesse d'écriture

1600 Mo/s

Écriture aléatoire (4KB)

280000 IOPS

Certification

CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS

Classe TBW

80

Le chiffrement matériel

Oui

Vitesse de lecture

2000 Mo/s

Version NVMe

1.3

Choc hors fonctionnement

1500 G

Vitesse d'écriture séquentielle (CDM)

1000 Mo/s

Vitesse de lecture séquentielle (CDM)

1900 Mo/s

Vitesse d'écriture séquentielle (ATTO)

1000 Mo/s

Vitesse de lecture séquentielle (ATTO)

1800 Mo/s

Vitesse d'écriture séquentielle (AS SSD)

1000 Mo/s

Vitesse de lecture séquentielle (AS SSD)

1700 Mo/s

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