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SAMSUNG SSD 9100 PRO 1T M.2 Gen5 *MZ-VAP1T0BW

349,90  TTC — soit 291,58  HT

SAMSUNG SSD 9100 PRO 1T M.2 Gen5 *MZ-VAP1T0BW

Disponibilité : En stock

UGS : FLY-PROD-002080 Catégories : , ,
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MSI SPATIUM M480 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TB 1 To PCI Express 4.0 3D NAND
Lexar NQ790 2 To PCIe 4.0
SAMSUNG SSD 9100 PRO 4T M.2 Gen5 *MZ-VAP4T0BW
SAMSUNG SSD 9100 PRO 2T M.2 Gen5 + Dissipateur *MZ-VAP2T0CW
CRUCIAL P310 2TB PCIe Gen4 NVMe M.2 SSDD (Tray)
MSI SPATIUM M480 PRO PCIE 4.0 NVME M.2 2TB disque SSD 2 To PCI Express 4.0 3D NAND
MSI SSD SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 1TB V1
Samsung PM9A1 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe TLC
SAMSUNG SSD PM9A3 3.84T *MZ1L23T8HBLA-00A07
Lexar NQ790 1 To PCIe 4.0
SAMSUNG SSD 1.9TB PM9A3 *MZ1L21T9HCLS-00A07

Caractéristiques techniques

Hauteur 22,1 mm
Largeur 80,2 mm
Poids 9 g
Profondeur 2,38 mm
Type d'emballage Boîte
Capacité du Solid State Drive (SSD) 1 To
NVMe Oui
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
Température d'opération 0 – 70 °C
Période de garantie 5 année(s)
composant pour PC/Console de jeux
Facteur de forme SSD M.2
Interface PCI Express 5.0
Lecture aléatoire (4KB) 1850000 IOPS
Support S.M.A.R.T Oui
Support TRIM Oui
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Type de mémoire V-NAND TLC
Vitesse d'écriture 13300 Mo/s
Écriture aléatoire (4KB) 2600000 IOPS
Le chiffrement matériel Oui
Vitesse de lecture 14700 Mo/s
Flux de données d'interface PCI Express x4
Taille du SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Version NVMe 2.0
Tension de fonctionnement 3,3 V
Consommation électrique moyenne (lecture) 7,6 W
Consommation électrique moyenne (écriture) 7,2 W
Choc durant le fonctionnement 1500 G
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) Oui
Operating voltage 3.3 V
Poids 0,08 kg
Hauteur

22,1 mm

Largeur

80,2 mm

Poids

9 g

Profondeur

2,38 mm

Type d'emballage

Boîte

Capacité du Solid State Drive (SSD)

1 To

NVMe

Oui

Algorithme de sécurité soutenu

256-bit AES

Température d'opération

0 – 70 °C

Période de garantie

5 année(s)

composant pour

PC/Console de jeux

Facteur de forme SSD

M.2

Interface

PCI Express 5.0

Lecture aléatoire (4KB)

1850000 IOPS

Support S.M.A.R.T

Oui

Support TRIM

Oui

Temps moyen entre pannes

1500000 h

Type de mémoire

V-NAND TLC

Vitesse d'écriture

13300 Mo/s

Écriture aléatoire (4KB)

2600000 IOPS

Le chiffrement matériel

Oui

Vitesse de lecture

14700 Mo/s

Flux de données d'interface PCI Express

x4

Taille du SSD M.2

2280 (22 x 80 mm)

Version NVMe

2.0

Tension de fonctionnement

3,3 V

Consommation électrique moyenne (lecture)

7,6 W

Consommation électrique moyenne (écriture)

7,2 W

Choc durant le fonctionnement

1500 G

Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)

Oui

Operating voltage

3.3 V

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